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参数资料
| 型号： | MRF9060LR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 365K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 945MHz |
| 增益： | 17dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 450mA |
| 功率 - 输出： | 70W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-360 |
| 供应商设备封装： | NI-360 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF9060LR1 MRF9060LSR1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Functional Tests (In Freescale Test Fixture, 50 ohm system)
Two-Tone Common-Source Amplifier Power Gain
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W PEP, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
Gps
16
17
?
dB
Two-Tone Drain Efficiency
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W PEP, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
η
36
40
?
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W PEP, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
IMD
?
-31
-28
dBc
Input Return Loss
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W PEP, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
IRL
?
-16
-9
dB
Two-Tone Common-Source Amplifier Power Gain
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W PEP, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
Gps
?
17
?
dB
Two-Tone Drain Efficiency
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W PEP, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
η
?
39
?
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W PEP, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
IMD
?
-31
?
dBc
Input Return Loss
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W PEP, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
IRL
?
-16
?
dB
Power Output, 1 dB Compression Point
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W CW, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 945.0 MHz)
P1dB
?
70
?
W
Common-Source Amplifier Power Gain
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W CW, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 945.0 MHz)
Gps
?
17
?
dB
Drain Efficiency
(VDD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W CW, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 945.0 MHz)
η
?
51
?
%
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| MRF9060LSR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF9060LSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 60W RF PWR FET NI360LS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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