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参数资料
| 型号： | MRF9060LR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 365K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 945MHz |
| 增益： | 17dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 450mA |
| 功率 - 输出： | 70W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-360 |
| 供应商设备封装： | NI-360 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF9060LR1 MRF9060LSR1
Figure 9. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Zsource
Ω
Zload
Ω
930
945
960
0.80 - j0.10
0.81 - j0.10
0.80 - j0.05
2.08 - j0.65
2.07 - j0.38
2.04 - j0.37
VDD
= 26 V, I
DQ
= 450 mA, P
out
= 60 W PEP
f = 960 MHz
Zo
= 5
Ω
f = 930 MHz
f = 930 MHz
f = 960 MHz
Zload
Zsource
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under Test
Output
Matching
Network
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MRF9060LSR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF9060LSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 60W RF PWR FET NI360LS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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