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参数资料
| 型号： | MRFE6P3300HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 445K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 300W 32V NI-860C3 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 857MHz |
| 增益： | 20.4dB |
| 电压 - 测试： | 32V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.6A |
| 功率 - 输出： | 270W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-860C3 |
| 供应商设备封装： | NI-860C3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFE6P3300HR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL NARROWBAND CHARACTERISTICS
800
15
22
0
70
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD
= 32 Vdc
IDQ
= 1600 mA
f = 860 MHz
100
10
20
19
18
17
16
C
50
85C
40
30
20
10
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
Gps
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
1
TC
= -30
C
85C
25C
-30C
21
60
25
Figure 12. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
VDD
= 28 V
30 V
G
ps
, POWER GAIN (dB)
400
16
0 100 150 250 300 35050 200
18
IDQ
= 1600 mA
f = 860 MHz
32 V
17
19
20
21
250
107
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 13. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD
= 32 Vdc, P
out
= 270 W PEP, and
ηD
= 44.8%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
106
105
104
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6P9220HR3 | MOSFET RF N-CH 200W NI-860C3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6P9220HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6P9220HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S8046GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 45W GSM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S8046NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 45W GSM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9045GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 45W TO270-2G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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