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参数资料
| 型号： | MRFE6P3300HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/12页 |
| 文件大小： | 445K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 300W 32V NI-860C3 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 857MHz |
| 增益： | 20.4dB |
| 电压 - 测试： | 32V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.6A |
| 功率 - 输出： | 270W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-860C3 |
| 供应商设备封装： | NI-860C3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFE6P3300HR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
f
MHz
Zsource
Ω
Zload
Ω
830
845
860
4.52 - j6.73
3.89 - j5.81
4.22 - j6.38
4.89 - j1.35
5.06 - j1.01
5.18 - j0.58
VDD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1600 mA, P
out
= 270 W PEP
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to gate, balanced configuration.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to drain, balanced configuration.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
-
-+
+
Figure 16. 820-900 MHz Narrowband Series Equivalent Source and Load Impedance
Zo
= 10
Ω
f = 890 MHz
f = 830 MHz
Zload
Zsource
875
890 3.39 - j4.32
3.54 - j5.10 5.27 - j0.11
5.36 + j0.43
f = 830 MHz
f = 890 MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MRFE6S8046NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 45W GSM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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