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参数资料
| 型号： | MRFE6P3300HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 445K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 300W 32V NI-860C3 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 857MHz |
| 增益： | 20.4dB |
| 电压 - 测试： | 32V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.6A |
| 功率 - 输出： | 270W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-860C3 |
| 供应商设备封装： | NI-860C3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFE6P3300HR3
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PRODUCT DOCUMENTATION
Refer to the following documents to aid your design process.
Application Notes
?
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
Engineering Bulletins
?
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
0
May 2007
?
Initial Release of Data Sheet
1
Dec. 2008
?
Table 4, Dynamic Characteristics, corrected Ciss
test condition to indicate AC stimulus on the V
GS
connection versus the VDS
connection, corrected Typ value from 106 to 1060 pF, p. 2
?
Fig. 1, Test Circuit Schematic, Z-list, changed Z4, Z5 from 1.013″
x 0.058
″
Microstrip to 1.186
″
x 0.058
″
Microstrip; Z10, Z11 from 1.054″
x 0.150
″
Microstrip to 1.306
″
x 0.150
″
Microstrip; and Z19, Z20 from
0.165″
x 0.339
″
Microstrip to 0.339
″
x 0.165
″
Microstrip; also separated Z1 and Z18 into two lines in
Z-list, p. 3
?
Updated PCB information to show more specific material details, Fig. 1, Test Circuit Schematic, p. 3
?
Updated Part Numbers in Table 5, Component Designations and Values, to latest RoHS compliant part
numbers, p. 3
2
Dec. 2009
?
Data sheet revised to reflect part status change, removing MRFE6P3300HR5. Refer to PCN13420.
(See Rev. 1 data sheet for MRFE6P3300HR5.)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6P9220HR3 | MOSFET RF N-CH 200W NI-860C3 |
| MRFE6S8046NR1 | MOSFET RF N-CH 45W TO-270-4 |
| MRFE6S9045NR1 | MOSFET RF N-CH 10W TO-270-2 |
| MRFE6S9046NR1 | MOSFET RF N-CH 45W TO-270-4 |
| MRFE6S9060NR1 | MOSFET RF N-CH 14W TO270-2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6P9220HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6P9220HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S8046GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 45W GSM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S8046NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 45W GSM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9045GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 45W TO270-2G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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