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参数资料
型号： MRFE6VP6300HSR3
厂商： Freescale Semiconductor
文件页数： 10/15页
文件大小： 991K
描述： FET RF N-CH 230MHZ 125V NI780S-4
标准包装： 250
晶体管类型： LDMOS（双）
频率： 230MHz
增益： 26.5dB
电压 - 测试： 50V
电流 - 测试： 100mA
功率 - 输出： 300W
电压 - 额定： 125V
封装/外壳： NI-780S-4
供应商设备封装： NI-780S-4
包装： 带卷 (TR)
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6VP6300HR3 MRFE6VP6300HSR3
Figure 3. MRFE6VP6300HR3(HSR3)
Test Circuit Component Layout
C8
CUT OUT AREA
L1
C7
C6
C5
C1
C4
R1
C3
C2
L2
C18
C20
C19
C17
C10
C11
C12
C13
C14
C15
C16
MRFE6VP6300H/HS
Rev. 2
C9
相关PDF资料
PDF描述
MRFE6VP8600HSR6 RF FET LDMOS 50V NI1230S
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相关代理商/技术参数
参数描述
MRFE6VP6300HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VP8600H 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
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MRFE6VP8600HR6 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VP8600HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
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