- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录95 > MRFE6VP6300HSR3 (Freescale Semiconductor)FET RF N-CH 230MHZ 125V NI780S-4 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRFE6VP6300HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/15页 |
| 文件大小： | 991K |
| 描述： | FET RF N-CH 230MHZ 125V NI780S-4 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 230MHz |
| 增益： | 26.5dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 100mA |
| 功率 - 输出： | 300W |
| 电压 - 额定： | 125V |
| 封装/外壳： | NI-780S-4 |
| 供应商设备封装： | NI-780S-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6VP6300HR3 MRFE6VP6300HSR3
PACKAGE DIMENSIONS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6VP8600HSR6 | RF FET LDMOS 50V NI1230S |
| MRFG35002N6AT1 | TRANS RF 1.5W 6V PWR FET PLD-1.5 |
| MRFG35002N6T1 | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 |
| MRFG35003ANR5 | TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5 |
| MRFG35003ANT1 | TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6VP6300HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP8600H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| MRFE6VP8600HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP8600HR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP8600HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。