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参数资料
| 型号： | MRFE6VP6300HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 15/15页 |
| 文件大小： | 991K |
| 描述： | FET RF N-CH 230MHZ 125V NI780S-4 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 230MHz |
| 增益： | 26.5dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 电流 - 测试： | 100mA |
| 功率 - 输出： | 300W |
| 电压 - 额定： | 125V |
| 封装/外壳： | NI-780S-4 |
| 供应商设备封装： | NI-780S-4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFE6VP6300HR3 MRFE6VP6300HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
VDD
=50Vdc,IDQ
= 100 mA
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
10
36.0 + j128
12.0 + j8.80
25
20.0 + j64.0
12.4 + j6.40
50
16.0 + j41.6
11.6 + j14.4
100
8.00 + j24.8
9.00 + j9.80
200
3.00 + j12.8
7.20 + j6.40
300
1.52 + j7.92
6.00 + j5.00
400
1.08 + j5.04
4.20 + j4.00
500
1.04 + j3.16
3.32 + j2.72
600
0.88 + j1.76
2.72 + j1.68
1. Simulated performance at 1 dB gain compression.
Zsource
= Source impedance presented from gate to gate.
Zload
= Load impedance presented from drain to drain.
Load
Source
Figure 16. Simulated Source and Load Impedances Optimized for IRL,
Output Power and Drain Efficiency ? Push--Pull
Zsource
Zload
Device
Under
Test
--
-- +
+
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6VP8600HSR6 | RF FET LDMOS 50V NI1230S |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRFE6VP8600H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
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| MRFE6VP8600HR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP8600HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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