型号: | MRFE6VP8600HR5 |
厂商: | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
封装: | ROHS COMPLIANT, NI-1230, CASE 375D-05, 4 PIN |
文件页数: | 20/20页 |
文件大小: | 777K |
代理商: | MRFE6VP8600HR5 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MRFE6VP8600HR6 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRFG35002N6AT1 | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
MRFG35002N6T1 | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
MRFG35003MT1 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
MRFG35005ANT1 | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MRFE6VP8600HR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRFE6VP8600HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRFE6VP8600HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRFE6VS25GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRFE6VS25LR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V NI360L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |