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参数资料
| 型号： | MRFE6VP8600HR5 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, NI-1230, CASE 375D-05, 4 PIN |
| 文件页数： | 5/20页 |
| 文件大小： | 777K |
| 代理商： | MRFE6VP8600HR5 |
MRFE6VP8600HR6 MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS — 470--860 MHz REFERENCE CIRCUIT
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
TC =35°C
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 19. Broadband Power Gain and IRL versus Frequency
900
450
IR
L,
IN
PU
T
RETU
RN
LOSS
(d
B)
VDD =50 Vdc,Pout = 125 W Avg.
IDQ = 1400 mA, DVB--T (8k OFDM)
64 QAM Data Carrier Modulation, 5 Symbols
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 20. Broadband Drain Efficiency and IMD Shoulder versus Frequency
900
450
VDD =50 Vdc,Pout = 125 W Avg., IDQ = 1400 mA
DVB--T (8k OFDM), 64 QAM Data Carrier Modulation, 5 Symbols
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
10
21
17
13
19
15
--12
0
--3
17
37
35
27
31
--35
--15
--19
--23
500
600
700
800
--4
--11
Gps
IRL
75°C
--17
--21
TC =35°C
IMD(1)
ηD
35°C
75°C
500
600
700
800
(1) Intermodulation distortion shoulder measurement made using
delta marker at 4.2 MHz offset from center frequency.
22
20
18
16
14
12
11
550
650
750
850
--1
--2
--5
--6
--10
--9
--7
--8
75°C
50°C
35°C
29
19
21
--25
--29
--27
--33
--31
550
650
750
850
50°C
75°C
33
25
23
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DI
ST
OR
TION
SH
OU
LD
ER
(d
Bc)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6VP8600HR6 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRFG35002N6AT1 | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG35002N6T1 | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| MRFG35003MT1 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| MRFG35005ANT1 | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6VP8600HR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP8600HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP8600HSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VS25GNR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VS25LR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V NI360L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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