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参数资料
| 型号： | MRFG35003ANT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 15/18页 |
| 文件大小： | 468K |
| 描述： | TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | pHEMT FET |
| 频率： | 3.55GHz |
| 增益： | 10.8dB |
| 电压 - 测试： | 12V |
| 额定电流： | 1.3A |
| 电流 - 测试： | 55mA |
| 功率 - 输出： | 3W |
| 电压 - 额定： | 15V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35003ANT1
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 5. Single-Carrier W-CDMA Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
32
2
18
14
0
60
VDS
= 12 Vdc, I
DQ
= 55 mA, f = 3550 MHz
Single?Carrier W?CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
12
8
40
6
30
4
20
20
10
22 24 26 28
Gps
32
?60
?10
18
?30
?5
IRL
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 6. Single-Carrier W-CDMA ACPR and
Input Return Loss versus Output Power
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
?30
?40
?50
?15
20
?10
22 24 26
ηD
VDS
= 12 Vdc, I
DQ
= 55 mA, f = 3550 MHz
Single?Carrier W?CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
NOTE:
Data is generated from the test circuit shown.
G
ps
, POWER GAIN (dB)
10
30
50
?20
28 30
?20
?25
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PDF描述 |
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