- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录95 > MRFG35003ANT1 (Freescale Semiconductor)TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRFG35003ANT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/18页 |
| 文件大小： | 468K |
| 描述： | TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | pHEMT FET |
| 频率： | 3.55GHz |
| 增益： | 10.8dB |
| 电压 - 测试： | 12V |
| 额定电流： | 1.3A |
| 电流 - 测试： | 55mA |
| 功率 - 输出： | 3W |
| 电压 - 额定： | 15V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFG35003ANT1
17
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PRODUCT DOCUMENTATION
Refer to the following documents to aid your design process.
Application Notes
?
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
0
April 2007
?
Initial Release of Data Sheet
1
Dec. 2008
?
Removed ?Operating Case Temperature Range? from Maximum Ratings table so that the maximum
channel temperature rating is the limiting thermal design criteria and not the case temperature range, p. 1
2
June 2009
?
Modified data sheet to reflect MSL rating change from 1 to 3 as a result of the standardization of packing
process as described in Product and Process Change Notification number, PCN13516, p. 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFG35003M6T1 | MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD |
| MRFG35003MT1 | MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD |
| MRFG35003N6AT1 | TRANSISTOR RF 3W 6V PLD-1.5 |
| MRFG35003N6T1 | MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD |
| MRFG35005ANT1 | TRANSISTOR RF 4.5W 12V PLD-1.5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFG35003M6R5 | 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRFG35003M6T1 | 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRFG35003M6T1_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
| MRFG35003MT1 | 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRFG35003N6AT1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。