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参数资料
| 型号： | MRFG35003ANT1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 16/18页 |
| 文件大小： | 468K |
| 描述： | TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 晶体管类型： | pHEMT FET |
| 频率： | 3.55GHz |
| 增益： | 10.8dB |
| 电压 - 测试： | 12V |
| 额定电流： | 1.3A |
| 电流 - 测试： | 55mA |
| 功率 - 输出： | 3W |
| 电压 - 额定： | 15V |
| 封装/外壳： | PLD-1.5 |
| 供应商设备封装： | PLD-1.5 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFG35003ANT1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 7. Single-Carrier W-CDMA Power Gain
and Drain Efficiency versus Frequency
2
14
3450
22
34
VDS
= 12 Vdc, I
DQ
= 55 mA, P
out
= 300 mW
Single?Carrier W?CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
12
8
30
6
28
4
26
24
Gps
?50
0
?25
0
IRL
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 8. Single-Carrier W-CDMA ACPR and
Input Return Loss versus Frequency
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
?20
?30
?40
?10
?5
ηD
VDS
= 12 Vdc, I
DQ
= 55 mA, P
out
= 300 mW
Single?Carrier W?CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
10
32
?10
?15
?20
3500 3550 3600 3650
3450 3500 3550 3600 3650
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 9. Single-Carrier OFDM EVM and Drain
Efficiency versus Output Power
32
12
18
60
VDS
= 12 Vdc, I
DQ
= 55 mA, f = 3550 MHz
3/4
Single?Carrier OFDM 802.16d 64 QAM
7 MHz Channel Bandwidth
PAR = 9.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
10
40
30
20
20
10
22 24 26 28
EVM
ηD
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% rms)
30
50
NOTE:
Data is generated from the test circuit shown.
8
6
4
2
0
0
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PDF描述 |
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