- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21700 > MRFG35010 (Freescale Semiconductor)TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRFG35010 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/11页 |
| 文件大小： | 368K |
| 描述： | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF |
| 标准包装： | 20 |
| 晶体管类型： | pHEMT FET |
| 频率： | 3.55GHz |
| 增益： | 10dB |
| 电压 - 测试： | 12V |
| 额定电流： | 2.9A |
| 电流 - 测试： | 180mA |
| 功率 - 输出： | 10W |
| 电压 - 额定： | 15V |
| 封装/外壳： | NI-360HF |
| 供应商设备封装： | NI-360HF |
| 包装： | 管件 |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRFG35010R1
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 360D-02
ISSUE C
G
E
N (LID)
C
SEATING
PLANE
DIM
A
MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERS
.795 .805 20.19 20.45
INCHES
B
.225 .235 5.72 5.97
C
.125 .176 3.18 4.47
D
.034 .044 0.89 1.12
E
.055 .065 1.40 1.65
F
.004 .006 0.10 0.15
G
.562 BSC 14.28 BSC
H
.077 .087 1.96 2.21
K
.085 .115 2.16 2.92
M
.355 .365 9.02 9.27
N
.355 .365 9.96 10.16
STYLE 1:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
1
2
3
2 x
Q
bbb BT
A
M
M
M
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M?1994.
3. DIMENSION H IS MEASURED .030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
Q
.125 .135 3.18 3.43
R
.225 .235 5.72 5.97
S
.225 .235 5.72 5.97
aaa
bbb
ccc
.005 0.13
.010 0.25
.015 0.38
bbb BT
A
M
M
M
S
(INSULATOR)
2 x
K
B
(FLANGE)
2 x
D
bbb BT
A
M
M
M
B
ccc BT
A
M
M
M
H
R (LID)
F
ccc BT
A
M
M
M
T
A
A
M
aaa BT
A
M
M
M
(INSULATOR)
NI-360HF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3269P-1-102LF | TRIMMER 1K OHM 0.25W SMD |
| 3296W-1-104 | TRIMMER 100K OHM 0.5W TH |
| 3296W-1-203 | TRIMMER 20K OHM 0.5W TH |
| MC18FD121F-TF | CAP MICA 120PF 500V 1% 1812 |
| KSA1M331LFT | SWITCH TACTILE SPST-NO 0.01A 32V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFG35010ANR5 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010ANT1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010AR1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010AR5 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010MR5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。