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参数资料
| 型号： | MRFG35010 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 368K |
| 描述： | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF |
| 标准包装： | 20 |
| 晶体管类型： | pHEMT FET |
| 频率： | 3.55GHz |
| 增益： | 10dB |
| 电压 - 测试： | 12V |
| 额定电流： | 2.9A |
| 电流 - 测试： | 180mA |
| 功率 - 输出： | 10W |
| 电压 - 额定： | 15V |
| 封装/外壳： | NI-360HF |
| 供应商设备封装： | NI-360HF |
| 包装： | 管件 |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35010R1
Table 3. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Saturated Drain Current
(VDS
= 3.5 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
2.9
?
Adc
Off State Leakage Current
(VGS
= -0.4 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
IGSS
?
< 1
100
μAdc
Off State Drain Current
(VDS
= 12 Vdc, V
GS
= -1.9 Vdc)
IDSO
?
0.09
1
mAdc
Off State Current
(VDS
= 28.5 Vdc, V
GS
= -2.5 Vdc)
IDSX
?
5
15
mAdc
Gate-Source Cut-off Voltage
(VDS
= 3.5 Vdc, I
DS
= 15 mA)
VGS(th)
-1.2
-0.8
-0.7
Vdc
Quiescent Gate Voltage
(VDS
= 12 Vdc, I
D
= 180 mA)
VGS(Q)
-1
-0.8
-0.5
Vdc
Power Gain
(VDD
= 12 Vdc, I
DQ
= 180 mA, f = 3.55 GHz)
Gps
9
10
?
dB
Output Power, 1 dB Compression Point
(VDD
= 12 Vdc, I
DQ
= 180 mA, f = 3.55 GHz)
P1dB
?
10
?
W
Drain Efficiency
(VDD
= 12 Vdc, I
DQ
= 180 mA, P
out
= 1 W Avg.,
f = 3.55 GHz)
D
23
30
?
%
Adjacent Channel Power Ratio
(VDD
= 12 Vdc, P
out
= 1 W Avg., I
DQ
= 180 mA,
f = 3.55 GHz, W-CDMA, 8.5 P/A @ 0.01% Probability,
64 CH, 3.84 MCPS)
ACPR
?
-42
-40
dBc
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3269P-1-102LF | TRIMMER 1K OHM 0.25W SMD |
| 3296W-1-104 | TRIMMER 100K OHM 0.5W TH |
| 3296W-1-203 | TRIMMER 20K OHM 0.5W TH |
| MC18FD121F-TF | CAP MICA 120PF 500V 1% 1812 |
| KSA1M331LFT | SWITCH TACTILE SPST-NO 0.01A 32V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFG35010ANR5 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010ANT1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010AR1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010AR5 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010MR5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
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