参数资料
型号: MRFG35010
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 2/11页
文件大小: 368K
描述: TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF
标准包装: 20
晶体管类型: pHEMT FET
频率: 3.55GHz
增益: 10dB
电压 - 测试: 12V
额定电流: 2.9A
电流 - 测试: 180mA
功率 - 输出: 10W
电压 - 额定: 15V
封装/外壳: NI-360HF
供应商设备封装: NI-360HF
包装: 管件
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35010R1
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
9
Jan. 2008
?
Listed replacement part, p. 1
?
Added Revision History, p. 10
相关PDF资料
PDF描述
3269P-1-102LF TRIMMER 1K OHM 0.25W SMD
3296W-1-104 TRIMMER 100K OHM 0.5W TH
3296W-1-203 TRIMMER 20K OHM 0.5W TH
MC18FD121F-TF CAP MICA 120PF 500V 1% 1812
KSA1M331LFT SWITCH TACTILE SPST-NO 0.01A 32V
相关代理商/技术参数
参数描述
MRFG35010ANR5 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35010ANT1 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35010AR1 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35010AR5 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35010MR5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: