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参数资料
| 型号： | MRFG35010 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 368K |
| 描述： | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF |
| 标准包装： | 20 |
| 晶体管类型： | pHEMT FET |
| 频率： | 3.55GHz |
| 增益： | 10dB |
| 电压 - 测试： | 12V |
| 额定电流： | 2.9A |
| 电流 - 测试： | 180mA |
| 功率 - 输出： | 10W |
| 电压 - 额定： | 15V |
| 封装/外壳： | NI-360HF |
| 供应商设备封装： | NI-360HF |
| 包装： | 管件 |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRFG35010R1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
NOTE:
All data is referenced to package lead interface. ΓS
and
ΓL
are the impedances presented to the DUT.
All data is generated from load pull, not from the test circuit shown.
1
9.5
13.5
13
12.5
12
11.5
11
10.5
10
10
0.1
0
80
Gps
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 3. Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
D
ηD
70
60
50
40
30
20
10
VDS
= 12 Vdc, I
DQ
= 180 mA
f = 3.55 GHz, 8.5 dB P/A 3GPP W?CDMA
ΓS
= 0.857
?144.24, ΓL
= 0.798
?164.30
10
?70
0
0.1
?70
0
?10 ?10IRL
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 4. W-CDMA ACPR and Input Return Loss
versus Output Power
ACPR (dBc)
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
?20 ?20
?30 ?30
?40 ?40
?50 ?50
V
?60 ?60DS
= 12 Vdc, I
DQ
= 180 mA
f = 3.55 GHz, 8.5 dB P/A 3GPP W?CDMA
1
ΓS
= 0.857
?144.24, ΓL
= 0.798
?164.30
25
36
5
0
60
Pout
VDS
= 12 Vdc, I
DQ
= 180 mA
f = 3.55 GHz, 8.5 dB P/A 3GPP W?CDMA
32 45ΓS
= 0.857
?144.24, ΓL
= 0.798
?164.30
Pin, INPUT POWER (dBm)
Figure 5. W-CDMA Output Power and Drain
Efficiency versus Input Power
34
30
28 30
26
η
24 15D
22
20
10 15 20
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3269P-1-102LF | TRIMMER 1K OHM 0.25W SMD |
| 3296W-1-104 | TRIMMER 100K OHM 0.5W TH |
| 3296W-1-203 | TRIMMER 20K OHM 0.5W TH |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFG35010ANR5 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010ANT1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010AR1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010AR5 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010MR5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
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