- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21700 > MRFG35010 (Freescale Semiconductor)TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRFG35010 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 368K |
| 描述： | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF |
| 标准包装： | 20 |
| 晶体管类型： | pHEMT FET |
| 频率： | 3.55GHz |
| 增益： | 10dB |
| 电压 - 测试： | 12V |
| 额定电流： | 2.9A |
| 电流 - 测试： | 180mA |
| 功率 - 输出： | 10W |
| 电压 - 额定： | 15V |
| 封装/外壳： | NI-360HF |
| 供应商设备封装： | NI-360HF |
| 包装： | 管件 |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35010R1
f
MHz
Zsource
Ω
Zload
Ω
3500
3550
3600
4.3 - j16.3
4.1 - j15.8
4.2 - j16.0
5.7 - j7.0
5.7 - j6.8
5.7 - j6.6
VDD
= 12 V, I
DQ
=180 mA, P
out
= 1 W
Figure 6. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zo
= 25
Ω
Zload
f = 3500 MHz
f = 3600 MHz
f = 3500 MHz
f = 3600 MHz
Zsource
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3269P-1-102LF | TRIMMER 1K OHM 0.25W SMD |
| 3296W-1-104 | TRIMMER 100K OHM 0.5W TH |
| 3296W-1-203 | TRIMMER 20K OHM 0.5W TH |
| MC18FD121F-TF | CAP MICA 120PF 500V 1% 1812 |
| KSA1M331LFT | SWITCH TACTILE SPST-NO 0.01A 32V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFG35010ANR5 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010ANT1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010AR1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010AR5 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010MR5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。