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参数资料
| 型号： | MRFG35010 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, NI-360HF, CASE 360D-02, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 350K |
| 代理商： | MRFG35010 |
MRFG35010
Freescale Semiconductor
Wireless RF Product Device Data
Table 3. Electrical Characteristics (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Saturated Drain Current
(VDS = 3.5 Vdc, VGS = 0 Vdc)
IDSS
—
2.9
—
Adc
Off State Leakage Current
(VGS = -0.4 Vdc, VDS = 0 Vdc)
IGSS
—
< 1.0
100
Adc
Off State Drain Current
(VDS = 12 Vdc, VGS = -1.9 Vdc)
IDSO
—
0.09
1.0
mAdc
Off State Current
(VDS = 28.5 Vdc, VGS = -2.5 Vdc)
IDSX
—
5.0
15
mAdc
Gate-Source Cut-off Voltage
(VDS = 3.5 Vdc, IDS = 15 mA)
VGS(th)
-1.2
-0.8
-0.7
Vdc
Quiescent Gate Voltage
(VDS = 12 Vdc, ID = 180 mA)
VGS(Q)
-1.0
-0.8
-0.5
Vdc
Power Gain
(VDD = 12 Vdc, IDQ = 180 mA, f = 3.55 GHz)
Gps
9.0
10
—
dB
Output Power, 1 dB Compression Point
(VDD = 12 Vdc, IDQ = 180 mA, f = 3.55 GHz)
P1dB
—
10
—
W
Drain Efficiency
(VDD = 12 Vdc, IDQ = 180 mA, Pout = 1.0 W Avg.,
f = 3.55 GHz)
hD
23
30
—
%
Adjacent Channel Power Ratio
(VDD = 12 Vdc, Pout = 1.0 W Avg., IDQ = 180 mA,
f = 3.55 GHz, W-CDMA, 8.5 P/A @ 0.01% Probability,
64 CH, 3.84 MCPS)
ACPR
—
-42
-40
dBc
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFG9801 | UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
| MRFG9801R | UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
| MRW2005 | S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| MRW2010 | S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFG35010ANR5 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010ANT1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010AR1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010AR5 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010MR5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
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