- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录96055 > MRFG35010 (FREESCALE SEMICONDUCTOR INC) S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRFG35010 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, NI-360HF, CASE 360D-02, 2 PIN |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 350K |
| 代理商： | MRFG35010 |
MRFG35010
Freescale Semiconductor
Wireless RF Product Device Data
Figure 2. 3.4 - 3.6 GHz Test Circuit Component Layout
Rev06
MRFG35010
VDD = 12 V
GND
CUT
OUT
AREA
OUTPUT
INPUT
Q1
C1
C2
C3
C4
C5
C6
C7
C8
C9
C10
C11
C12 D1
C13
C14
C15
C16
C17
C18
C19
C20
C21
R1
R2
R3
R4
R5
R6
R7
R9
R8
G
D
S
U1
Freescale has begun the transition of marking Printed Circuit Boards (PCBs) with the Freescale Semiconductor
signature/logo. PCBs may have either Motorola or Freescale markings during the transition period. These changes will have
no impact on form, fit or function of the current product.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFG9801 | UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
| MRFG9801R | UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
| MRW2005 | S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| MRW2010 | S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| MRW2020F | S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFG35010ANR5 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010ANT1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010AR1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010AR5 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010MR5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。