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参数资料
型号： MRFG35010
厂商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分类： 功率晶体管
英文描述： S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封装： ROHS COMPLIANT, NI-360HF, CASE 360D-02, 2 PIN
文件页数： 7/8页
文件大小： 350K
代理商： MRFG35010
5-658
Freescale Semiconductor
Wireless RF Product Device Data
MRFG35010
Table 4. Class A Common Source S-Parameters at VDS = 12 Vdc, IDQ = 1000 mA
f
S11
S21
S12
S22
f
GHz
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
0.50
0.956
-177.95
5.591
79.60
0.007
15.64
0.741
179.71
0.60
0.957
-179.86
4.668
76.30
0.007
23.81
0.739
179.15
0.70
0.956
178.44
4.007
73.21
0.008
23.84
0.736
178.75
0.80
0.956
177.05
3.520
70.18
0.008
26.09
0.736
178.29
0.90
0.954
175.83
3.138
67.20
0.009
30.55
0.735
177.85
1.00
0.955
174.61
2.842
64.30
0.010
28.91
0.735
177.42
1.10
0.954
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2.604
61.65
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31.64
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176.95
1.20
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172.29
2.402
58.87
0.011
31.90
0.735
176.52
1.30
0.952
171.25
2.236
56.13
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36.06
0.735
175.97
1.40
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170.02
2.098
53.34
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162.31
1.638
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参数描述
MRFG35010ANR5 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35010ANT1 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35010AR1 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35010AR5 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35010MR5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
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