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参数资料
| 型号： | MRFG35010 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, NI-360HF, CASE 360D-02, 2 PIN |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 350K |
| 代理商： | MRFG35010 |
MRFG35010
Freescale Semiconductor
Wireless RF Product Device Data
f
MHz
Zsource
Zload
3500
3550
3600
4.3 - j16.3
4.1 - j15.8
4.2 - j16.0
5.7 - j7.0
5.7 - j6.8
5.7 - j6.6
VDD = 12 V, IDQ =180 mA, Pout = 1 W
Figure 6. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zo = 25
Zload
f = 3500 MHz
f = 3600 MHz
f = 3500 MHz
f = 3600 MHz
Zsource
Zsource = Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Z source
Z load
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRFG35010AR5 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
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