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参数资料
| 型号： | MRFG35010 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, NI-360HF, CASE 360D-02, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 350K |
| 代理商： | MRFG35010 |
Freescale Semiconductor
Wireless RF Product Device Data
MRFG35010
Figure 1. 3.4 - 3.6 GHz Single Supply Bias Sequencing Test Circuit Schematic
D1
C11
R3
R2
R1
C12
R7
C10
C9
C13
C15
C18
C14
C16
C19
R6
R4
R8
C1
Z1
C21
Q1
C7
C5
C3
C8
C6
C4
C2
U1
NC
RF
INPUT
RF
OUTPUT
VDD
C17
R9
C20
1
2
3
4
8
7
6
5
C1, C21
6.8 pF Chip Capacitors, ATC
C2, C20
10 pF Chip Capacitors, ATC
C3, C19
100 pF Chip Capacitors, ATC
C4, C18
100 pF Chip Capacitors, ATC
C5, C10, C16, C17
1000 pF Chip Capacitors, ATC
C6, C11, C12, C15
0.1 F Chip Capacitors, ATC
C7, C14
39K Chip Capacitors, ATC
C8, C13
22 F Tantalum Chip Capacitors
C9
6.8 F Tantalum Chip Capacitor
D1
5.1 V Zener Diode, MA8051CT-ND
R1
22.1 k, 1/4 W 1%, Chip Resistor
R2
5K Trim Pot, #3224W-1-502E
R3
12 k, 1/4 W 1%, Chip Resistor
R4
100 k, 1/4 W 1%, Chip Resistor
R5
39 k, 1/4 W 1%, Chip Resistor
R6
10 , 1/4 W 1%, Chip Resistor
R7
2.2 k, 1/4 W 1%, Chip Resistor
R8, R9
50 , 1/4 W 1%, Chip Resistors
U1
Voltage Converter, LTC 1261
Q1
Switch, MTP23P06V
PCB
Rogers RO4350, 0.020″, εr = 3.50
Z1
0.044″ x 0.250″ Microstrip
Z2
0.044″ x 0.030″ Microstrip
Z3
0.615″ x 0.050″ Microstrip
Z4
0.044″ x 0.070″ Microstrip
Z5
0.270″ x 0.490″ Microstrip
Z6
0.044″ x 0.470″ Microstrip
Z7
0.434″ x 0.110″ Microstrip
Z8, Z11
0.015″ x 0.527″ Microstrip
Z9, Z10
0.290″ x 90° Microstrip Radial Stub
Z12
0.184″ x 0.390″ Microstrip
Z13
0.040″ x 0.580″ Microstrip
Z14
0.109″ x 0.099″ Microstrip
Z15
0.030″ x 0.225″ Microstrip
Z16
0.080″ x 0.240″ Microstrip
Z17
0.044″ x 0.143″ Microstrip
R5
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z9
Z10
Z8
Z11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFG9801 | UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
| MRFG9801R | UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
| MRW2005 | S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFG35010ANR5 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010ANT1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010AR1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010AR5 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35010MR5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
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