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参数资料
| 型号： | MSC7119VM1200 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 21/60页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DSP 16BIT W/DDR CTRLR 400-MAPBGA |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | StarCore |
| 类型： | 定点 |
| 接口： | 主机接口，I²C，UART |
| 时钟速率： | 300MHz |
| 非易失内存： | ROM（8 kB） |
| 芯片上RAM： | 464kB |
| 电压 - 输入/输出： | 3.30V |
| 电压 - 核心： | 1.20V |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 400-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 400-MAPBGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
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MSC7119 Data Sheet, Rev. 8
Electrical Characteristics
Freescale Semiconductor
28
Figure 7 provides the AC test load for the DDR DRAM bus.
2.5.5
TDM Timing
Figure 7. DDR DRAM AC Test Load
Table 19. DDR DRAM Measurement Conditions
Symbol
DDR DRAM
Unit
VTH
1
VREF ± 0.31 V
V
VOUT
2
0.5
× VDDM
V
Notes:
1.
Data input threshold measurement point.
2.
Data output measurement point.
Table 20. TDM Timing
No.
Characteristic
Expression
Min
Max
Units
300
TDMxRCK/TDMxTCK
TC
20.0
—
ns
301
TDMxRCK/TDMxTCK High Pulse Width
0.4
× TC
8.0
—
ns
302
TDMxRCK/TDMxTCK Low Pulse Width
0.4
× TC
8.0
—
ns
303
TDM all input Setup time
3.0
—
ns
304
TDMxRD Hold time
3.5
—
ns
305
TDMxTFS/TDMxRFS input Hold time
2.0
—
ns
306
TDMxTCK High to TDMxTD output active
4.0
—
ns
307
TDMxTCK High to TDMxTD output valid
—
14.0
ns
308
TDMxTD hold time
2.0
—
ns
309
TDMxTCK High to TDMxTD output high impedance
—
10.0
ns
310
TDMxTFS/TDMxRFS output valid
—
13.5
ns
311
TDMxTFS/TDMxRFS output hold time
2.5
—
ns
Notes:
1.
Output values are based on 30 pF capacitive load.
2.
Inputs are referenced to the sampling that the TDM is programmed to use. Outputs are referenced to the programming edge
they are programmed to use. Use of the rising edge or falling edge as a reference is programmable. Refer to the MSC711x
Reference Manual for details. TDMxTCK and TDMxRCK are shown using the rising edge.
Figure 8. TDM Receive Signals
Output
Z0 = 50 Ω
VOUT
RL = 50 Ω
TDMxRCK
TDMxRD
TDMxRFS
300
301
302
303
304
305
311
310
TDMxRFS (output)
~ ~
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