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参数资料
| 型号： | MT46V32M4-1 |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| 中文描述： | 双倍数据速率的DDR SDRAM内存 |
| 文件页数： | 27/68页 |
| 文件大小： | 2547K |
| 代理商： | MT46V32M4-1 |
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27
128Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
128Mx4x8x16DDR_C.p65
–
Rev. C; Pub. 4/01
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc.
128Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
PRELIMINARY
Figure 15
WRITE Burst
DQS
NOTE:
1. DI
b
= data-in for column
b
.
2. Three subsequent elements of data-in are applied in the programmed
order following DI
b
.
3. An uninterrupted burst of 4 is shown.
4. A10 is LOW with the WRITE command (auto precharge is disabled).
t
DQSS (MAX)
t
DQSS (NOM)
t
DQSS (MIN)
tDQSS
DM
DQ
CK
CK#
COMMAND
WRITE
NOP
NOP
ADDRESS
Bank
a
,
Col
b
NOP
T0
T1
T2
T3
T2n
DQS
tDQSS
DM
DQ
DQS
tDQSS
DM
DQ
DI
b
DI
b
DI
b
DON
’
T CARE
TRANSITIONING DATA
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PDF描述 |
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