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参数资料
| 型号： | MT46V32M4TG-8L |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| 中文描述： | 双倍数据速率的DDR SDRAM内存 |
| 文件页数： | 8/68页 |
| 文件大小： | 2547K |
| 代理商： | MT46V32M4TG-8L |
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8
128Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
128Mx4x8x16DDR_C.p65
–
Rev. C; Pub. 4/01
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc.
128Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
PRELIMINARY
RESERVED NC PINS
1
TSOP PIN NUMBERS
42
17
SYMBOL
A12
A13
TYPE
I
I
DESCRIPTION
Address input for 256Mb and 512Mb devices.
Address input for 1Gb devices.
51
DQS
I/O
Data Strobe: Output with read data, input with write data. DQS is
edge-aligned with read data, centered in write data. It is used to
capture data. For the x16 , LDQS is DQS for DQ0-DQ7 and UDQS is
DQS for DQ8-DQ15. Pin 16 is NC on x4 and x8.
DQ Power Supply: +2.5V ±0.2V. Isolated on the die for improved
noise immunity.
DQ Ground. Isolated on the die for improved noise immunity.
Power Supply: +2.5V ±0.2V.
Ground.
SSTL_2 reference voltage.
No Connect: These pins should be left unconnected.
16, 51
LDQS, UDQS
3, 9, 15, 55, 61
V
DD
Q
Supply
6, 12, 52, 58, 64
1, 18, 33
34, 48, 66
49
14, 17, 19, 25,
42, 43, 53
50
V
SS
Q
V
DD
V
SS
V
REF
NC
Supply
Supply
Supply
Supply
–
DNU
–
Do Not Use: Must float to minimize noise.
PIN DESCRIPTIONS (continued)
TSOP PIN NUMBERS
SYMBOL
TYPE
DESCRIPTION
NOTE:
1. NC pins not listed may also be reserved for other uses now or in the future. This table simply defines specific NC pins
deemed to be of importance.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V4M32 | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
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| MT48LC16M8A1TG | SYNCHRONOUS DRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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