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参数资料
| 型号： | MT4C4256 |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(标准或低功率，扩展刷新，256K x 4动态RAM) |
| 中文描述： | 256K × 4的DRAM标准或低功耗，延长刷新（标准或低功率，扩展刷新，256K × 4动态内存） |
| 文件页数： | 12/15页 |
| 文件大小： | 240K |
| 代理商： | MT4C4256 |
MT4C4256(L)
REV. 4/94
Micron Semiconductor, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1994, Micron Semiconductor, Inc.
12
MT4C4256(L)
256K x 4 DRAM
OBSOLETE
DON’T CARE
UNDEFINED
tCLZ
tOFF
OPEN
VALID DATA
OPEN
COLUMN
ROW
(READ)
tRAS
(REFRESH)
tRAS
tCAC
tRAC
tAA
tCAH
tASC
tRAH
tASR
tRAD
tAR
tRAL
tCRP
tRCD
tRSH
tRP
tCHR
DQ
V
IOL
V
IL
ADDR
V
IL
CAS
V
IL
RAS
V
IL
tOE
tOD
OE
tORD
CBR REFRESH CYCLE
(A0-A8,
W
/
E and
/
O
/
E = DON’T CARE)
HIDDEN REFRESH CYCLE
24
(
W
/
E = HIGH;
/
O
/
E = LOW)
EXTENDED REFRESH CYCLE (MT4C4256 L ONLY)
(A0-A8,
W
/
E and
/
O
/
E = DON’T CARE)
tRP
V
IL
RAS
tRAS
OPEN
tCHR
tCSR
V
IL
CAS
V
OL
DQ
tRP
tRAS
tRPC
tCSR
tRPC
tCHR
tCPN
tRP
V
IL
RAS
tRAS
OPEN
tCHR
tCSR
V
IL
CAS
V
OL
DQ
tRP
tRAS
tRPC
tCSR
tRPC
tCHR
tCPN
125μs
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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