- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录385639 > MT4C4256 (Micron Technology, Inc.) 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(标准或低功率，扩展刷新，256K x 4动态RAM) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MT4C4256 |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(标准或低功率，扩展刷新，256K x 4动态RAM) |
| 中文描述： | 256K × 4的DRAM标准或低功耗，延长刷新（标准或低功率，扩展刷新，256K × 4动态内存） |
| 文件页数： | 6/15页 |
| 文件大小： | 240K |
| 代理商： | MT4C4256 |
MT4C4256(L)
REV. 4/94
Micron Semiconductor, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1994, Micron Semiconductor, Inc.
6
MT4C4256(L)
256K x 4 DRAM
OBSOLETE
ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND RECOMMENDED AC OPERATING CONDITIONS
(Notes: 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 23) (Vcc = +5V
±
10%)
AC CHARACTERISTICS
PARAMETER
Output buffer turn-off delay
Output disable
W
/
E command setup time
Write command hold time
Write command hold time
(referenced to
/
R
A
/
S)
Write command pulse width
Write command to
/
R
A
/
S lead time
Write command to
/
C
A
/
S lead time
Data-in setup time
Data-in hold time
Data-in hold time
(referenced to
/
R
A
/
S)
/
R
A
/
S to
W
/
E delay time
Column-address
to
W
/
E delay time
/
C
A
/
S to
W
/
E delay time
Transition time (rise or fall)
Refresh period (512 cycles)
MT4C4256 / MT4C4256 L
/
R
A
/
S to
/
C
A
/
S precharge time
/
C
A
/
S setup time (CBR REFRESH)
/
C
A
/
S hold time (CBR REFRESH)
O
/
E hold time from
W
/
E during
READ-MODIFY-WRITE cycle
O
/
E setup prior to
/
R
A
/
S during
HIDDEN REFRESH cycle
-6
-7
-8
SYM
t
OFF
t
OD
t
WCS
t
WCH
t
WCR
MIN
3
MAX
20
15
MIN
3
MAX
20
20
MIN
3
MAX
20
20
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES
20, 26, 28
26
21
0
10
45
0
0
15
55
15
60
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
DHR
10
20
20
0
15
45
15
20
20
0
15
55
15
20
20
0
15
60
ns
ns
ns
ns
ns
ns
22
22
t
RWD
t
AWD
85
60
100
65
110
70
ns
ns
21
21
t
CWD
t
T
40
3
50
3
55
3
ns
ns
21
50
50
50
9, 10
t
REF
t
RPC
t
CSR
t
CHR
t
OEH
8 / 64
8 / 64
8 / 64
ms
ns
ns
ns
ns
0
10
10
15
0
0
10
15
20
10
15
20
5
5
25
t
ORD
0
0
0
ns
24
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT4C4256L | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(标准或低功率，扩展刷新，256K x 4动态RAM) |
| MT4LC16M4T8TG-5 | DRAM |
| MT4LC16M4T8TG-5S | DRAM |
| MT4LC16M4T8TG-6 | DRAM |
| MT4LC16M4T8TG-6S | DRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT4C4256-10 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:256K X 4RAM(FAST PAGE MODE) |
| MT4C4256-12 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:256K X 4RAM(FAST PAGE MODE) |
| MT4C425628 | 制造商:MICRON 功能描述:* |
| MT4C4256-6 | 制造商:MAJOR 功能描述: |
| MT4C4256-8 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:256K X 4RAM(FAST PAGE MODE) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。