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参数资料
| 型号： | MT4LC1M16E5 |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | EDO DRAM |
| 中文描述： | EDO公司的DRAM |
| 文件页数： | 14/24页 |
| 文件大小： | 385K |
| 代理商： | MT4LC1M16E5 |
14
1 Meg x 16 EDO DRAM
D52_B.p65 – Rev. B; Pub. 3/01
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc
16Mb: 1 MEG x16
EDO DRAM
READ-WRITE CYCLE
(LATE WRITE and READ-MODIFY-WRITE cycles)
VALID DOUT
VALID DIN
ROW
COLUMN
ROW
V
IL
V
IL
ADDR
V
IL
V
IL
DQ
V
IOL
V
IL
RAS#
OPEN
OPEN
tOE
tOD
tCAC
tRAC
tAA
tCLZ
tDS
tDH
tAWD
tWP
tRWL
tCWL
tCWD
tRWD
tRCS
tASC
tCAH
tAR
tRAD
tRAH
tASR
tCRP
tRCD
tCAS, CLCH
tRSH
tCSH
tRAS
tRWC
tRP
OE#
tOEH
WE#
tACH
CASL#/CASH#
DON’T CARE
UNDEFINED
TIMING PARAMETERS
-5
-6
SYMBOL
t
AA
t
ACH
t
AR
t
ASC
t
AWD
t
ASR
t
CAC
t
CAH
t
CAS
t
CLCH
t
CLZ
t
CRP
t
CSH
t
CWD
t
CWL
t
DH
MIN
MAX
25
MIN
MAX
30
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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38
0
42
0
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0
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0
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8
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8
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10,000
-5
-6
SYMBOL
t
DS
t
OD
t
OE
t
OEH
t
RAC
t
RAD
t
RAH
t
RAS
t
RCD
t
RCS
t
RP
t
RSH
t
RWC
t
RWD
t
RWL
t
WP
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0
0
MAX
MIN
0
0
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5
10,000
10,000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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