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参数资料
| 型号： | MT4LC1M16E5DJ-6S |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | EDO DRAM |
| 中文描述： | EDO公司的DRAM |
| 文件页数： | 18/24页 |
| 文件大小： | 385K |
| 代理商： | MT4LC1M16E5DJ-6S |
18
1 Meg x 16 EDO DRAM
D52_B.p65 – Rev. B; Pub. 3/01
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc
16Mb: 1 MEG x16
EDO DRAM
EDO-PAGE-MODE READ EARLY WRITE CYCLE
(Pseudo READ-MODIFY-WRITE)
V
IL
V
IL
RAS#
V
IL
ADDR
V
IL
WE#
tRASP
tRP
ROW
COLUMN (A)
COLUMN (N)
ROW
V
IL
OE#
V
IOL
tCRP
tCSH
tCAS, tCLCH
tRCD
tASR
tRAH
tRAD
tASC
tAR
tCAH
tASC
tCAH
tASC
tCAH
tCP
tRSH
VALID D
IN
tRCS
tRCH
tWCS
tOE
D
OUT
VALID D
OUT
tWHZ
tCAC
tCOH
tCPA
tAA
tCAC
tAA
OPEN
DQ
tPC
RAC
t
tWCH
tDS
tDH
tPC
COLUMN (B)
tACH
CASL#/CASH#
tCAS, tCLCH
tCAS, tCLCH
tCP
tCP
DON’T CARE
UNDEFINED
-5
-6
SYMBOL
t
DS
t
OE
t
PC
t
RAC
t
RAD
t
RAH
t
RASP
t
RCD
t
RCH
t
RCS
t
RP
t
RSH
t
WCH
t
WCS
t
WHZ
MIN
0
MAX
MIN
0
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TIMING PARAMETERS
-5
-6
SYMBOL
t
AA
t
ACH
t
AR
t
ASC
t
ASR
t
CAC
t
CAH
t
CAS
t
CLCH
t
COH
t
CP
t
CPA
t
CRP
t
CSH
t
DH
MIN
MAX
25
MIN
MAX
30
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12
38
0
0
15
45
0
0
13
15
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8
5
3
8
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5
3
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10,000
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5
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9
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8
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0
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60
14
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0
40
15
10
0
0
125,000
125,000
12
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MT4C4256 | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(标准或低功率，扩展刷新，256K x 4动态RAM) |
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参数描述 |
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| MT4LC1M16E5TG-6 | 制造商:MT 功能描述:Dynamic RAM, EDO, 1M x 16, 50 Pin, Plastic, TSOP |
| MT4LC1M16E5TG-6S | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:EDO DRAM |
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