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参数资料
| 型号： | MTB8N50ET4 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 8 A, 500 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | CASE 418B-02, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 200K |
| 代理商： | MTB8N50ET4 |
MTB8N50E
http://onsemi.com
6
Figure 13. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
E
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (°C)
150
25
600
0
100
200
50
100
75
125
300
400
500
ID = 8 A
,SINGLE
PULSE
DRAINT
OSOURCE
AS
A
V
ALANCHE
ENERGY
(mJ)
Figure 14. Thermal Response
r(t)
,NORMALIZED
EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
t, TIME (seconds)
1.0
0.01
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.00001
0.02
0.1
0.0001
0.001
0.01
1.0
0.1
0.2
0.1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MTD10N10ELG | 10 A, 100 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD10N10EL | 10 A, 100 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD10N10ELT4 | 10 A, 100 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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