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参数资料
| 型号： | MTD20P06HDLT4 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 20 A, 60 V, 0.15 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 308K |
| 代理商： | MTD20P06HDLT4 |
MTD20P06HDL
7
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
R
θJC(t) = r(t) RθJC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
r(t)
,EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
0.1
1.0
0.01
Figure 14. Thermal Response
t, TIME (s)
Figure 15. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
0.1
0.02
0.2
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