型号: | MTD2N50E1 |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 2 A, 500 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封装: | CASE 369A-13, DPAK-3 |
文件页数: | 1/12页 |
文件大小: | 147K |
代理商: | MTD2N50E1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MTD2N50E | 2 A, 500 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MTD3302 | 8300 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
MTD4N20E | 4 A, 200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MTD4N20E1 | 4 A, 200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MTD4N20E-1 | 4 A, 200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MTD3010N-DIG | 制造商:Marktech Optoelectronics 功能描述:PHOTO DIODE 900NM DOME CLR TO-18 |
MTD3010PM | 功能描述:PHOTO DIODE 900NM DOME CLR TO-18 RoHS:是 类别:传感器,转换器 >> 光学 - 光电检测器 - 光电二极管 系列:- 标准包装:1 系列:- 波长:850nm 颜色 - 增强型:- 光谱范围:400nm ~ 1100nm 二极管类型:引脚 nm 下响应率:0.62 A/W @ 850nm 响应时间:5ns 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 暗(标准):1nA 有效面积:1mm² 视角:150° 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:径向,5mm 直径(T 1 3/4) 其它名称:475-2649-6 |
MTD3010PM_11 | 制造商:MARKTECH 制造商全称:Marktech Corporate 功能描述:Peak Sensitivity Wavelength: 900nm |
MTD3010PM_2 | 制造商:MARKTECH 制造商全称:Marktech Corporate 功能描述:Photo Diode |