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参数资料
| 型号： | MTD2N50E1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 2 A, 500 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | CASE 369A-13, DPAK-3 |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | MTD2N50E1 |
MTD2N50E
http://onsemi.com
6
SAFE OPERATING AREA
t, TIME (s)
1.0E05
1.0E04
1.0E02
0.1
1.0
0.01
1.0E03
1.0E01
1.0E+00
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (°C)
E AS
,SINGLE
PULSE
DRAINT
OSOURCE
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.1
1.0
1000
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
10
AV
ALANCHE
ENERGY
(mJ)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
0.01
0
25
50
75
100
125
100
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25°C
80
100
40
20
ID = 2 A
60
1.0
0.1
10
150
Figure 13. Thermal Response
r(t)
,NORMALIZED
EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
RθJC(t) = r(t) RθJC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) TC = P(pk) RθJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
D = 0.5
1.0E+01
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
100 s
10 s
1ms
10ms
dc
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTD2N50E | 2 A, 500 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD3302 | 8300 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MTD4N20E | 4 A, 200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD4N20E1 | 4 A, 200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD4N20E-1 | 4 A, 200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTD3010N | 功能描述:PHOTO DIODE 900NM DOME CLR TO-18 RoHS:是 类别:传感器，转换器 >> 光学 - 光电检测器 - 光电二极管 系列:- 标准包装:1 系列:- 波长:850nm 颜色 - 增强型:- 光谱范围:400nm ~ 1100nm 二极管类型:引脚 nm 下响应率:0.62 A/W @ 850nm 响应时间:5ns 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 暗（标准）:1nA 有效面积:1mm² 视角:150° 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4） 其它名称:475-2649-6 |
| MTD3010N-DIG | 制造商:Marktech Optoelectronics 功能描述:PHOTO DIODE 900NM DOME CLR TO-18 |
| MTD3010PM | 功能描述:PHOTO DIODE 900NM DOME CLR TO-18 RoHS:是 类别:传感器，转换器 >> 光学 - 光电检测器 - 光电二极管 系列:- 标准包装:1 系列:- 波长:850nm 颜色 - 增强型:- 光谱范围:400nm ~ 1100nm 二极管类型:引脚 nm 下响应率:0.62 A/W @ 850nm 响应时间:5ns 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 暗（标准）:1nA 有效面积:1mm² 视角:150° 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4） 其它名称:475-2649-6 |
| MTD3010PM_11 | 制造商:MARKTECH 制造商全称:Marktech Corporate 功能描述:Peak Sensitivity Wavelength: 900nm |
| MTD3010PM_2 | 制造商:MARKTECH 制造商全称:Marktech Corporate 功能描述:Photo Diode |
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