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参数资料
| 型号： | MTD6N151 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 6 A, 150 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | CASE 369D-01, DPAK-3 |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | MTD6N151 |
MTD6N15
http://onsemi.com
5
Crss
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Capacitance Variation
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
VGS
VDS
VDS = 0
0
2000
1600
1200
25
20
10
0
5
10
Figure 12. Gate Charge versus
GateToSource Voltage
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
16
0
08
12
8
4
12
16
20
5
15
400
VDS = 50 V
V
GS
,GA
TE
SOURCE
VOL
TAGE
(VOL
TS)
TJ = 25°C
ID = 6 A
75 V
120 V
TJ = 25°C
VGS = 0
4
800
15
30
35
Ciss
Coss
RESISTIVE SWITCHING
PULSE GENERATOR
VDD
Vout
Vin
Rgen
50
Ω
z = 50
Ω
50
Ω
DUT
RL
Figure 13. Switching Test Circuit
toff
OUTPUT, Vout
INVERTED
ton
tr
td(off)
tf
td(on)
90%
10%
INPUT, Vin
10%
50%
90%
50%
PULSE WIDTH
Figure 14. Switching Waveforms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTD6N15T4 | 6 A, 150 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD6N20E1 | 6 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD6N20E-T4 | 6 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD6N20ET4 | 6 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD6N20ET5G | 6 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MTD6N15T4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 150V 6A 300mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTD6N15T4GV | 功能描述:MOSFET Single N-Ch 150V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTD6N20 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N D-PAK |
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