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参数资料
| 型号： | MUN2132LT1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-59, 3 PIN |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | MUN2132LT1 |
MUN2111T1 Series
http://onsemi.com
7
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN2114T1
V
in,
INPUT
VOL
T
AGE
(VOL
TS)
I C,
COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
C
ob,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
V
CE(sat),
MAXIMUM
COLLECT
OR
VOL
T
AGE
(VOL
TS)
10
1
0.1
010
20
30
40
50
100
10
1
02
4
6
8
10
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
2
4
6
8
1015
2025 30 35
40 45 50
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 17. VCE(sat) vs. IC
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
020
40
60
80
Figure 18. DC Current Gain
Figure 19. Output Capacitance
Figure 20. Output Current vs. Input Voltage
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
Figure 21. Input Voltage vs. Output Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
0.01
0.00
1
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25°C
LOA
D
+12
V
Figure 22. Inexpensive, Unregulated Current Source
Typical Application
for PNP BRTs
TA = –25°C
25
°C
TA =75°C
25
°C
VO = 5 V
VO = 0.2 V
TA = –25°C
25
°C
75
°C
IC/IB =10
110
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–25
°C
25
°C
TA =75°C
VCE = 10 V
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
2
4
6
8
15204050 6070 80 90 100
75
°C
–25
°C
h
FE,
DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MUN2215T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MUN2132T1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MUN2132T1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR PNP 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MUN2132T3 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MUN2132T3G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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