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参数资料
| 型号： | MUN2132LT1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-59, 3 PIN |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | MUN2132LT1 |
MUN2111T1 Series
http://onsemi.com
5
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN2112T1
V
in,
INPUT
VOL
T
AGE
(VOL
TS)
I C,
COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
C
ob,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
h
FE,
DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
V
CE(sat),
MAXIMUM
COLLECT
OR
VOL
T
AGE
(VOL
TS)
TA = –25°C
Figure 7. VCE(sat) vs. IC
Figure 8. DC Current Gain
1000
10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
10
1
10
0
TA =75°C
Figure 9. Output Capacitance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
010
20
30
75
°C
100
10
1
0.1
40
50
Figure 10. Output Current vs. Input Voltage
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0
12
3
4
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
25
°C
567
8
9
10
Figure 11. Input Voltage vs. Output Current
0.01
0.1
1
10
40
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
020
60
80
75
°C
25
°C
TA = –25°C
50
010
20
30
40
4
3
2
1
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
25
°C
VCE = 10 V
IC/IB = 10
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25°C
VO = 5 V
25
°C
75
°C
–25
°C
TA = –25°C
VO = 0.2 V
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MUN2132T1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR PNP 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MUN2132T3 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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