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参数资料
| 型号： | MUN2132LT1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-59, 3 PIN |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | MUN2132LT1 |
MUN2111T1 Series
http://onsemi.com
8
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN2131T1
Figure 23. Output Current vs. Input Voltage
0
100
10
24
6
1
0.01
8
Vin, INPUT VOLTAGE (V)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
VO = 5 V
75
°C
TA = 25°C
–25
°C
Figure 24. Input Voltage vs. Output Current
VO = 0.2 V
0
10
20
25
1
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
TA = –25°C
75
°C
25
°C
Figure 25. VCE(sat) vs. IC
75
°C
IC/IB =10
10
1
0.1
0.01
15
5
020
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
CE(sat),
MAXIMUM
COLLECT
OR
VOL
T
AGE
(V)
25
35
–25
°C
25
°C
Figure 26. DC Current Gain
IC/IB = 10
1
1000
100
10
100
1
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
hFE,
DC
CURRENT
GAIN
75
°C
–25
°C
25
°C
515
13
5
7
30
Figure 27. Output Capacitance
0
8
6
20
4
2
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (V)
C
ob,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
10
55
50
40
30
10
12
45
35
25
15
5
f = 1 MHz
IE = 0 A
TA = 25°C
Vi
n,
INPUT
VOL
T
AGE
(VOL
TS)
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PDF描述 |
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| MUN2132T1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR PNP 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MUN2132T3 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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