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参数资料
| 型号： | MUN2132LT1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-59, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | MUN2132LT1 |
MUN2111T1 Series
http://onsemi.com
11
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES
Device
Marking
Package
Shipping
R1 (K)
R2 (K)
MUN2111T1
MUN2112T1
MUN2113T1
MUN2114T1
6A
6B
6C
6D
SOT–23
Tape & Reel 7”/3000 Unit Reel
10
22
47
10
22
47
MUN2114T1
MUN2115T1 (Note 1.)
MUN2116T1 (Note 1.)
MUN2130T1 (Note 1.)
MUN2131T1 (Note 1 )
6D
6E
6F
6G
6H
SOT–23
SOT 23
Tape & Reel 7”/3000 Unit Reel
10
4.7
1
22
47
∞
1
22
MUN2131T1 (Note 1.)
MUN2132LT1 (Note 1.)
MUN2133LT1 (Note 1.)
MUN2134LT1 (Note 1.)
6H
6J
6K
6L
SOT–23
Tape & Reel 7”/3000 Unit Reel
2.2
4.7
22
2.2
4.7
47
1. New devices. Updated curves to follow in subsequent data sheets.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MUN2132RT1 | 制造商:ETL 制造商全称:E-Tech Electronics LTD 功能描述:Bias Resistor Transistor |
| MUN2132T1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MUN2132T1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR PNP 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MUN2132T3 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MUN2132T3G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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