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参数资料
| 型号： | MUN2132LT1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-59, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | MUN2132LT1 |
MUN2111T1 Series
http://onsemi.com
4
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN2111T1
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
in,
INPUT
VOL
T
AGE
(VOL
TS)
I C,
COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
h
FE,
DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
Figure 2. VCE(sat) vs. IC
0
TA = –25°C
25
°C
12
3
4
5
678
9
10
Figure 3. DC Current Gain
Figure 4. Output Capacitance
Figure 5. Output Current vs. Input Voltage
Figure 6. Input Voltage vs. Output Current
0.01
20
0.1
1
040
60
80
1000
1
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
10
0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.1
1
10
100
10
20
30
40
50
TA = –25°C
75
°C
75
°C
50
010
20
30
40
4
3
1
2
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
0
TA =–2°5C
25
°C
75
°C
25
°C
VCE = 10 V
VO = 5 V
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25°C
–25
°C
V
CE(sat),
MAXIMUM
COLLECT
OR
VOL
T
AGE
(VOL
TS)
C
ob,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
TA =75°C
IC/IB = 10
25
°C
VO = 0.2 V
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PDF描述 |
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| MUN2132T3 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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