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参数资料
| 型号： | MUN5130T3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 14/16页 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | MUN5130T3 |
MUN5111T1 Series
http://onsemi.com
7
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS – MUN5113T1
V in
,INPUT
VOL
TAGE
(VOL
TS)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
Figure 12. VCE(sat) versus IC
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
0.01
010
20
30
40
75°C
25°C
V CE(sat)
,MAXIMUM
COLLECT
OR
VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 13. DC Current Gain
1000
100
10
1
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
-25°C
Figure 14. Output Capacitance
Figure 15. Output Current versus Input Voltage
100
10
1
0.1
0.01
0.001
010
25°C
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
-25°C
50
0
102030
40
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C ob
,CAP
ACIT
ANCE
(pF)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Figure 16. Input Voltage versus Output Current
100
10
1
0.1
0
10
20
30
40
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
TA =-25°C
25°C
75°C
50
IC/IB = 10
TA =-25°C
25°C
TA =75°C
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25°C
VO = 5 V
TA =75°C
VO = 0.2 V
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PDF描述 |
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