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参数资料
| 型号： | MUN5130T3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 16/16页 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | MUN5130T3 |
MUN5111T1 Series
http://onsemi.com
9
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5136T1
75
°C
25
°C
–25
°C
Figure 23. Maximum Collector Voltage versus
Collector Current
Figure 24. DC Current Gain
Figure 25. Output Capacitance
Figure 26. Output Current versus Input Voltage
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 27. Input Voltage versus Output Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
7
6
5
4
3
2
1
0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
10
1
100
10
1
0.01
1000
V
CE(sat)
,MAXIMUM
COLLECT
OR
VOL
T
AGE
(VOL
TS)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
1.2
0.6
60
50
40
30
20
10
0
C
ob
,CAP
ACIT
ANCE
(pF)
0.2
0.4
0.8
1.0
100
6
5
4
3
2
1
0
0.1
1
10
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
10
9
8
7
100
12
10
8
6
4
2
0
1
10
18
16
14
20
V
in
,INPUT
VOL
T
AGE
(VOL
TS)
IC/IB = 10
75
°C
25
°C
TA = –25°C
VCE = 10 V
75
°C
25
°C
TA = –25°C
VO = 5 V
VO = 0.2 V
75
°C
25
°C
TA = –25°C
f = 1 MHz
IE = 0 V
TA = 25°C
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PDF描述 |
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参数描述 |
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