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参数资料
| 型号： | MUN5130T3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 15/16页 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | MUN5130T3 |
MUN5111T1 Series
http://onsemi.com
8
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS – MUN5114T1
10
1
0.1
010
20
30
40
50
100
10
1
0
246
8
10
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
2
4
6
8 1015 2025 3035 4045 50
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
V in
,INPUT
VOL
TAGE
(VOL
TS)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
Figure 17. VCE(sat) versus IC
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
020
40
60
80
V CE(sat)
,MAXIMUM
COLLECT
OR
VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 18. DC Current Gain
1
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 19. Output Capacitance
Figure 20. Output Current versus Input Voltage
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
C ob
,CAP
ACIT
ANCE
(pF)
Figure 21. Input Voltage versus Output Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
0.01
0.001
-25°C
25°C
TA =75°C
VCE = 10 V
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
2
4 6
8
15 20 40 50 60 70 80 90
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25°C
LOAD
+12 V
Figure 22. Inexpensive, Unregulated Current Source
Typical Application
for PNP BRTs
25°C
IC/IB = 10
TA =-25°C
TA =75°C
25°C
-25°C
VO = 5 V
VO = 0.2 V
25°C
TA =-25°C
75°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MUN5111T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5115T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5135T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5114T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5111T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MUN5131 | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN5131DW | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN5131DW1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k |
| MUN5131DW1T1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MUN5131DW1T1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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