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参数资料
| 型号： | NAND01GR4B2BV1E |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48 |
| 文件页数： | 25/58页 |
| 文件大小： | 943K |
| 代理商： | NAND01GR4B2BV1E |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页当前第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Table 15. Electronic Signature Byte/Word 4
Note: 1. VDDth is equal to 2.5V for 3V Power Supply devices and to 1.5V for 1.8V Power Supply devices.
I/O
Definition
Value
Description
I/O1-I/O0
Page Size
(Without Spare Area)
0 0
0 1
1 0
1 1
1K
2K
Reserved
I/O2
Spare Area Size
(Byte / 512 Byte)
0
1
8
16
I/O3
Sequential Access Time
0
1
Standard (50 ns)
Fast
(30 ns)
I/O5-I/O4
Block Size
(Without Spare Area)
0 0
0 1
1 0
1 1
64K
128K
256K
Reserved
I/O6
Organization
0
1
X8
X16
I/O7
Not Used
Reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512W4B2BN6T | 32M X 16 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| NAND01GR4B2BV1T | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| NAND01GR4B2CV6T | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| NAND01GR4B2CZA1E | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
| NAND01GW3A0BZB1 | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND01GR4B2BZA1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR4B2BZA1E | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR4B2BZA1F | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR4B2BZA6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR4B2BZA6E | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
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