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参数资料
| 型号： | NAND01GR4B2CZA1E |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
| 封装： | 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-63 |
| 文件页数： | 40/64页 |
| 文件大小： | 632K |
| 代理商： | NAND01GR4B2CZA1E |
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NAND01G-B, NAND02G-B
Maximum rating
45/64
10
Maximum rating
Stressing the device above the ratings listed in Table 19: Absolute Maximum Ratings, may
cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and operation of the
device at these or any other conditions above those indicated in the Operating sections of
this specification is not implied. Exposure to Absolute Maximum Rating conditions for
extended periods may affect device reliability. Refer also to the STMicroelectronics SURE
Program and other relevant quality documents.
Table 19.
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
Min
Max
TBIAS
Temperature Under Bias
– 50
125
°C
TSTG
Storage Temperature
– 65
150
°C
VIO
(1)
1.
Minimum Voltage may undershoot to –2V for less than 20ns during transitions on input and I/O pins.
Maximum voltage may overshoot to VDD + 2V for less than 20ns during transitions on I/O pins.
Input or Output Voltage
1.8V devices
– 0.6
2.7
V
3 V devices
– 0.6
4.6
V
VDD
Supply Voltage
1.8V devices
– 0.6
2.7
V
3 V devices
– 0.6
4.6
V
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参数描述 |
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| NAND01GR4B2CZA6F | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR4B2CZB1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
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