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参数资料
| 型号： | NAND01GR4B2CZA1E |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
| 封装： | 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-63 |
| 文件页数： | 8/64页 |
| 文件大小： | 632K |
| 代理商： | NAND01GR4B2CZA1E |
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Memory array organization
NAND01G-B, NAND02G-B
16/64
Figure 6.
Memory Array Organization
AI09854
Block = 64 Pages
Page = 2112 Bytes (2,048 + 64)
2,048 Bytes
2048 Bytes
Spare
Area
64
Bytes
Block
8 bits
64
Bytes
8 bits
Page
Page Buffer, 2112 Bytes
Block = 64 Pages
Page = 1056 Words (1024 + 32)
1,024 Words
1024 Words
Spare
Area
Main Area
32
Words
16 bits
32
Words
16 bits
Page Buffer, 1056 Words
Block
Page
x8 DEVICES
x16 DEVICES
Main Area
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND01GR4B2CZA1F | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR4B2CZA6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR4B2CZA6E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR4B2CZA6F | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR4B2CZB1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
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