型号: | NAND04GR3B3AN6 |
厂商: | NUMONYX |
元件分类: | PROM |
英文描述: | 512M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
封装: | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |
文件页数: | 24/59页 |
文件大小: | 998K |
代理商: | NAND04GR3B3AN6 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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NAND512W3B3BZA1F | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
NAND512W3B3CV1 | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
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NAND08GR4B2AZC6E | 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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NAND04GR4B2DWFD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
NAND04GR4B2EN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
NAND04GR4B2EN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
NAND04GW3B2AN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 4GBIT 512MX8 25US 48TSOP - Trays |
NAND04GW3B2BE06 | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |