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参数资料
| 型号： | NAND04GR3B3AN6 |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 46/59页 |
| 文件大小： | 998K |
| 代理商： | NAND04GR3B3AN6 |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
50/59
Figure 33. Block Erase AC Waveform
Note: Address cycle 3 is required for 2Gb, 4Gb and 8Gb devices only.
Figure 34. Reset AC Waveform
D0h
60h
SR0
70h
ai08038b
tWHBL
tWLWL
tBLBH3
Block Erase
Setup Command
Block Erase
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
Confirm
Code
Read Status Register
Block Address Input
(Erase Busy time)
(Write Cycle time)
Add.
cycle 1
Add.
cycle 3
Add.
cycle 2
W
R
I/O
RB
tBLBH4
AL
CL
FFh
ai08043
(Reset Busy time)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512W3B3BZA1F | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND512W3B3CV1 | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GR4B3AV1F | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GW4B3CZA1E | 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND08GR4B2AZC6E | 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND04GR4B2DWFD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND04GR4B2EN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND04GR4B2EN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
| NAND04GW3B2AN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 4GBIT 512MX8 25US 48TSOP - Trays |
| NAND04GW3B2BE06 | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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