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参数资料
| 型号： | NAND04GR3B3AN6 |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 35/59页 |
| 文件大小： | 998K |
| 代理商： | NAND04GR3B3AN6 |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
40/59
DC AND AC PARAMETERS
This section summarizes the operating and mea-
surement conditions, and the DC and AC charac-
teristics of the device. The parameters in the DC
and AC characteristics Tables that follow, are de-
rived from tests performed under the Measure-
ment
Conditions
summarized
in
Designers should check that the operating condi-
tions in their circuit match the measurement condi-
tions when relying on the quoted parameters.
Table 20. Operating and AC Measurement Conditions
Table 21. Capacitance
Note: TA = 25°C, f = 1 MHz. CIN and CI/O are not 100% tested.
Parameter
NAND Flash
Units
Min
Max
Supply Voltage (VDD)
1.8V devices
1.7
1.95
V
3V devices
2.7
3.6
V
Ambient Temperature (TA)
Grade 1
0
70
°C
Grade 6
–40
85
°C
Load Capacitance (CL) (1 TTL GATE and CL)
1.8V devices
30
pF
3V devices (2.7 - 3.6V)
50
pF
3V devices (3.0 - 3.6V)
100
pF
Input Pulses Voltages
1.8V devices
0
VDD
V
3V devices
0.4
2.4
V
Input and Output Timing Ref. Voltages
1.8V devices
0.9
V
3V devices
1.5
V
Output Circuit Resistor Rref
8.35
k
Input Rise and Fall Times
5
ns
Symbol
Parameter
Test Condition
Typ
Max
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 0V
10
pF
CI/O
Input/Output Capacitance
VIL = 0V
10
pF
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