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参数资料
型号： NAND04GR3B3AN6
厂商： NUMONYX
元件分类： PROM
英文描述： 512M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
封装： 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
文件页数： 56/59页
文件大小： 998K
代理商： NAND04GR3B3AN6
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
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Figure 35.Ready/Busy AC Waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
Figure 36.Ready/Busy Load Circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
Figure 37.Resistor Value Versus Waveform Timings For Ready/Busy Signal . . . . . . . . . . . . . . . . 51
PACKAGE MECHANICAL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
Figure 38.TSOP48 - 48 lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 20 mm, Package Outline . . . . . . . . 52
Table 26. TSOP48 - 48 lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 20 mm, Package Mechanical Data . 52
Figure 39.USOP48 – lead Plastic Ultra Thin Small Outline,12x17 mm, Package Outline. . . . . . . . 53
Table 27. USOP48 – lead Plastic Ultra Thin Small Outline, 12x17mm,
Package Mechanical Data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
Figure 40.VFBGA63 9.5x12mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Outline . . . . . . . . 54
Table 28. VFBGA63 9.5x12mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data 54
Figure 41.TFBGA63 9.5x12mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Outline . . . . . . . . 55
Table 29. TFBGA63 9.5x12mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data 55
Figure 42.LFBGA63 9.5x12mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Outline . . . . . . . . 56
Table 30. LFBGA63 9.5x12mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data. 56
PART NUMBERING . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
Table 31. Ordering Information Scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
REVISION HISTORY . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
Table 32. Document Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
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NAND04GW3B2AN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 4GBIT 512MX8 25US 48TSOP - Trays
NAND04GW3B2BE06 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
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